Published February 28, 2023
| Version v1
Journal article
Open
СОСТАВ И ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ Mo(111), ИМПЛАНТИРОВАННОЙ ИОНАМИ Nb+
- 1. Каршинский государственный университет, 180003 Карши, Узбекистан
Description
Показано, что при имплантации ионов Ba в Mo в приповерхностном слое Mo формируются наноразмерные пленки толщиной q = 40¸50 Å, состоящие из механической смеси Mo + Ba. Положение пиков в спектре фотоэлектронов системы [Ва+Mo] может несколько отличаться (на 0.1¸0.2 эВ) от аналогичных пиков для «чистых» Мо и Ва, что, вероятно, связано с некоторым перераспределением электронов в валентная зона, обусловленная деформацией решетки Мо внедренными атомами Ва и разупорядочением приповерхностного слоя.
Files
161-168.pdf
Files
(336.9 kB)
| Name | Size | Download all |
|---|---|---|
|
md5:da4c6bb30bb508a838f34d5d6b246ebf
|
336.9 kB | Preview Download |
Additional details
Related works
- Is cited by
- Journal article: 10.5281/zenodo.7702788 (DOI)
References
- 1. Быковский Ю.А., Неволин В.Н., Фоминский В.Ю. Ионная и лазерная имплантация металлических материалов (Москва, Энергоатомиздат, 1991). 2. Томошев Н.Д., Гусева Н.И., Федосеева Г.А. Техническая физика 265, 1129 (1981). 3. Бурибаев И., Нурматов Н.А., Эргашов Ё.С., Талипов Н., Холов А. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -Россия, 2012, №9, -С.55-58. 4. Cinti R.S., Khoury E.Al., Chakraverty B.K., Christensen N.E. // Phys. Rev. B. 1976. V.14. № 8. P. 3296. 5. Buribaev I., Nurmatov N.A. //Journal of Elect. Spect. and Relat Phenom. – 1994, -V-68, -P.547-551. 6. Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация. М.: Наука, 1983. 7. Berglund C.N., Spicer W.E. // Phys. Rev. A. 1964. V. 136. № 4. P. 1030. 8. Umirzakov, B.E., Tashmukhamedova, D.A., Tashatov, A.K., Mustafoeva, N.M. Technical Physics, 2019, 64(5), 708–710 9. Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A., Tashatov A.K., Mustafoeva N.M., Muradkabilov D.M. // Effect of the Disordering of Thin Surface Layers on the Electronic and Optical Properties of Si(111) // Semiconductors, 2020, 54(11), стр. 1424–1429 10. Н. М. Мустафоева, Н. М. Мустафаева // Исследование Физические Свойства Нанопленок Nisi2/Si // Таълим ва ривожланиш таҳлили онлайн илмий журнали, 2022 йил октябр, Vol. 2 No. 10 (2022) 11. N. M. Mustafoeva, A. K. Tashatov, N. M. Mustafaeva, X. J. Mavlonova //Investigation of Physical Properties of Nisi 2/Si Nanofilm // Pioneer: Journal of Advanced Research and Scientific Progress (JARSP) Volume: 01 Issue: 04 | 2022 ISSN: 2751-7551 12. N. M. Mustafoeva, A. K. Tashatov, N. M. Mustafaeva, X. J. Mavlonova //Surface Morphology of Nisi 2 /Si Films Produced By Solid-Phase Epitaxy// Pioneer: Journal of Advanced Research and Scientific Progress (JARSP) Volume: 01 Issue: 04 | 2022 ISSN: 2751-7551 13. А. К. Ташатов , Н. М. Мустафоева //Нанопленок CoSi2 На Поверхности Si При Твердофазном Осаждени // Miasto Przyszłości Kielce, Vol. 25 (2022): 14. Donaev S.B. Umirzakov B.E. Mustafoeva N.M. // Emissivity of Laser-Activated Pd-Ba Alloy // Technical Phusics, 2019, Vol.64, Issue 10 (2019), pp. 1541-1543 15. Donaev S.B. Tashatov A.K. Mustafoeva N.M. // Electronic and Optical Properties of GaAlAs/GaAs thin films // Technical Phusics, Vol.64, Issue 10(2019), pp.1506-1508 16. Tashatov A.K. Mustafoeva N.M. // Surface Morphology of NiSi2/Si Films Obtained by the Method of Solid-Phase Deposition // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2020, Vol.14, No 1, pp. 81-84. 17. Ташатов А.К. Мустафоева Н.М. // Морфология поверхности пленок NiSi2/Si полученных методом твердофазной эпитаксии // Тенденции развития современной физики полупроводников: проблемы, достижения и перспективы; Сборник материалов международной онлайн конференции (www.e-science.uz); Ташкент. 2020. 92-97. с. 18. Ташатов А.К. Мустафоева Н.М. // Морфология, состав и структура поверхности пленок NiSi2/Si полученных методом твердофазной эпитаксии // Узбекиский физический журнал, 23(2), 2021. C.55-60 19. А.К. Ташатов, Н.М. Мустафоева, Б.Е. Умирзаков // Формирование нанопленок CoSi2 на поверхности Si при твердофазном осаждении // 51-й международной Тулиновской конференции «По физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами» Москва 24 мая – 26 мая 2022. С.152