Published February 28, 2023 | Version v1
Journal article Open

КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА МНОГОСЛОЙНОЙ СИСТЕМЫ Si/CoSi2/Si

  • 1. Каршинский государственный университет, Кучабог-17, г. Карши, Узбекистан

Description

Ярко выраженные точечные рефлексы, характерные для монокристаллов, на электронограммах устанавливаются при Т » 1100 К. Однако, при Т » 1050 К формируются островковые образования, нарушающие сплошность осажденной  пленки. В случае роста пленки Si на поверхности массивного  кристалла  CoSi2 островки  образуются  при  Т > 1100¸1150 К.  ­При TР ³ 1000 К в приграничной области Si/CoSi (100) происходит диффузия Si в CoSi2 и Со в Si, вследствие чего появляется некий переходный слой. Заметная диффузия Со и Si наблюдается только при Т » 1100 К, что может быть связано с частичным разложением CoSi2 на составляющие.

Files

169-173.pdf

Files (334.3 kB)

Name Size Download all
md5:e62f4dd6f773c3eb06908169c6af1550
334.3 kB Preview Download

Additional details

Related works

Is cited by
Journal article: 10.5281/zenodo.7702862 (DOI)

References

  • 1. Алтухов А.А., Житковский В.Д., Жирнов В.В.,  Иванов В.В. (1990). Твердотельный детектор ионизирующих излучений, изготовленный по технологии МЛЭ.// Техника средств связи, сер. ТПО. № 3. - С. 25-28. 2. Hong F., Rozgonyi G.A.,  Patnik B. (1992) Nanochale CoSi2 contact layer grown from deposited Co/Ti multilayers on Si subtrates.// Appl. Phys. Lett. – V. 61 (13). - Р. 1519-1521. 3. Озеров А.Г., Алтухов А.А., Иванов В.В.,  Митягин А.Ю. (1988) Экспериментальные структуры кремний-диэлектрик-кремний, полученные методом МЛЭ.// Специальная техника средств связи. Сер. Технология производства и оборудование. - Вып.1. - С. 115-119. 4. Ташатов А.К., Усманов М., Умирзаков Б.Е.,  Кодиров И.Н. (1996) Исследование состава приповерхностных слоев эпитаксиальной пленки кремния применяемой в интегральных схемах.// Узбекский физический журнал. – Ташкент, №3. - С. 31-35. 5. Ташатов А.К., Усманов М., Ташмухамедова Д,  Умирзаков Б.Е. (1998) Влияние послеростового отжига на состав и структуру пленок Si/CoSi2(100). //Известия РАН, Cерия физическая. – Москва, №10. С. 1954-1957. 6. Ташмухамедова Д., Умирзаков Б.Е.,  Ташатов А.К. (2003) Электронные свойства поверхности гетероструктурных пленок MexSiy/Si и Ga1-xMexAs/GaAs, созданных методом ионной имплантации.// Известия РАН. Серия физическая. – Москва, № 9 (7). -С. 35-36. 7. Ташатов А.К. (2006) Закономерности роста и электронные свойства многослойной структуры Si/CoSi2/Si.// ДАН Респ. Узбекистан, №1. С. 26-29.