КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА МНОГОСЛОЙНОЙ СИСТЕМЫ Si/CoSi2/Si - Ташатов, А.К.; Нормуродов, Д.А.; Довранов, К.Т.; Эшбобоев, С.Н. (Educational Research in Universal Sciences, 2023)
Ярко выраженные точечные рефлексы, характерные для монокристаллов, на электронограммах устанавливаются при Т » 1100 К. Однако, при Т » 1050 К формируются островковые образования, нарушающие сплошность осажденной пленки. В случае роста пленки Si на поверхности массивного кристалла CoSi2 островки образуются при Т > 1100¸1150 К. При TР ³ 1000 К в приграничной области Si/CoSi (100) происходит диффузия Si в CoSi2 и Со в Si, вследствие чего появляется некий переходный слой. Заметная диффузия Со и Si наблюдается только при Т » 1100 К, что может быть связано с частичным разложением CoSi2 на составляющие.