СОЗДАНИЕ НОВОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С НАНОКЛАСТЕРАМИ ДЛЯ ФОТОЭНЕРГЕТИКИ
Keywords:
кластеры марганца, квантовый выход, кремний, фотопроводимость, энергии, фотоэлемент.Abstract
Показано, что кремний с нанокластерами атомов марганца обладает уникальными электрическими которые отсутствуют в обычных легированных полупроводниковых материалах. Образцы выявили аномально высокую примесную фоточувствительность в области λ=1–4 мкм. Найдены оптимальные электрофизические параметры образцов. Полученные результаты показывают, что действительно кремний с многозарядными нанокластерами марганца является уникальным материалом.
References
Bakhadyrkhanov M.K., Tachilin S.A. Quantometrs of Solar IR Radiation Based on Silicon with Multicharged Nanoclusters of Magnesium Atoms // Applied Solar Energy, USA. 2012, Vol. 48, No. 1, pp. 55-57.
Абдураззоқов Ж.Т., Абдуллаева Н.У. Использование компьютерных технологий при изучении электроники в области биомедицины. Russia: Международный научно-образовательный электронный журнал «ОБРАЗОВАНИЕ И НАУКА В XXI ВЕКЕ».-B.169-176.
Kreissl J., Gehlhoff WElectron Paramagnetic Resonance of the Cluster in Silicon. Phys. Status Solidi. B. V. (1988) 145. P. 609.
Аскаров Ш.И., Бахадирханов М.К., Мастеров В.Ф., Штельмах В.Ф. Исследование методом ЭПР межпримесного взаимодействия серы и марганца в кремнии. ФТП. (1982) Т.16. №7. С.1308-1310.
Kreissl J. and Gehlhoff W. Trigonal manganese cluster in silicon: An electron-paramagnetic-resonance study. Physical Review B, (1994) V 49, N 15, 10307–10317.
