КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА МНОГОСЛОЙНОЙ СИСТЕМЫ Si/CoSi2/Si
Keywords:
Эпитаксиальные пленки, кремния, поверхность, температурный отжиг, поликристаллическая пленка, диффузияAbstract
Ярко выраженные точечные рефлексы, характерные для монокристаллов, на электронограммах устанавливаются при Т » 1100 К. Однако, при Т » 1050 К формируются островковые образования, нарушающие сплошность осажденной пленки. В случае роста пленки Si на поверхности массивного кристалла CoSi2 островки образуются при Т > 1100¸1150 К. При TР ³ 1000 К в приграничной области Si/CoSi (100) происходит диффузия Si в CoSi2 и Со в Si, вследствие чего появляется некий переходный слой. Заметная диффузия Со и Si наблюдается только при Т » 1100 К, что может быть связано с частичным разложением CoSi2 на составляющие.
References
Алтухов А.А., Житковский В.Д., Жирнов В.В., Иванов В.В. (1990). Твердотельный детектор ионизирующих излучений, изготовленный по технологии МЛЭ.// Техника средств связи, сер. ТПО. № 3. - С. 25-28.
Hong F., Rozgonyi G.A., Patnik B. (1992) Nanochale CoSi2 contact layer grown from deposited Co/Ti multilayers on Si subtrates.// Appl. Phys. Lett. – V. 61 (13). - Р. 1519-1521.
Озеров А.Г., Алтухов А.А., Иванов В.В., Митягин А.Ю. (1988) Экспериментальные структуры кремний-диэлектрик-кремний, полученные методом МЛЭ.// Специальная техника средств связи. Сер. Технология производства и оборудование. - Вып.1. - С. 115-119.
Ташатов А.К., Усманов М., Умирзаков Б.Е., Кодиров И.Н. (1996) Исследование состава приповерхностных слоев эпитаксиальной пленки кремния применяемой в интегральных схемах.// Узбекский физический журнал. – Ташкент, №3. - С. 31-35.
Ташатов А.К., Усманов М., Ташмухамедова Д, Умирзаков Б.Е. (1998) Влияние послеростового отжига на состав и структуру пленок Si/CoSi2(100). //Известия РАН, Cерия физическая. – Москва, №10. С. 1954-1957.
Ташмухамедова Д., Умирзаков Б.Е., Ташатов А.К. (2003) Электронные свойства поверхности гетероструктурных пленок MexSiy/Si и Ga1-xMexAs/GaAs, созданных методом ионной имплантации.// Известия РАН. Серия физическая. – Москва, № 9 (7). -С. 35-36.
Ташатов А.К. (2006) Закономерности роста и электронные свойства многослойной структуры Si/CoSi2/Si.// ДАН Респ. Узбекистан, №1. С. 26-29.
